1. NGB8245NT4G
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厂商型号

NGB8245NT4G 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

277-NGB8245NT4G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:220
5+¥6.1199
25+¥5.8292
最小起订量:5
英国伦敦
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#2

数量:1163
最小起订量:1
美国费城
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全场免邮
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NGB8245NT4G产品详细规格

规格书 NGB8245NT4G datasheet 规格书
NGB8245N
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 490V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 4V, 15A
- 集电极电流(Ic)(最大) 20A
功率 - 最大 150W
Input 型 Logic
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 D2PAK
最大栅极发射极电压 ±15
最大连续集电极电流 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 D2PAK
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 500
最大功率耗散 150000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 20A
安装类型 Surface Mount
标准包装 800
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2V @ 4V, 15A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 490V
供应商设备封装 D2PAK
功率 - 最大 150W
输入类型 Logic
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 50A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NGB8245NT4GOSCT
最大栅极发射极电压 500V
Board Level Components Y
最高工作温度 +175 °C
安装类型 表面贴装
通道类型 N
高度 4.83mm
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 150 W
宽度 10.29mm
封装类型 D2PAK
最大集电极-发射极电压 500 V
引脚数目 3
长度 9.65mm
晶体管配置
尺寸 9.65 x 10.29 x 4.83mm
最大连续集电极电流 50 A

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